سامسونگ: اولین تراشه 3nm جهان
در کنفرانس اخیر IEEE ISSCC بین المللی مدارات حالت جامد، تراشه های 3nm! سامسونگ زوم کرده است و سامسونگ با موفقیت نبرد تراشه را در سراسر جهان شعله ور کرده است. در این کنفرانس سامسونگ اولین تراشه حافظه SRAM ساخت فرایند ۳nm را راه اندازی کرد و فرایند نیمه هادی را دوباره به مرحله جدیدی سوق داد. تراشه حافظه SRAM فرایند 3nm از سامسونگ دارای ظرفیت 256GB و مساحت تنها 56 میلی متر مربع است. عملکرد ۳۰٪ بهبود می یابد و مصرف برق ۵۰٪ کاهش می یابد. انتظار می رود در سال ۲۰۲۲ رسماً به صورت انبوه تولید شود. سامسونگ فناوری ترانزیستور جدیدی را بر روی تراشه فرایند ۳nm اتخاذ کرد، و از فناوری GAA برای حل یک سری مشکلات مانند تولید گرما و مصرف بیش از حد برق که پیش از این در فرایند ۵nm با آن مواجه شده بود، استفاده کرد. فن آوری GAAFET جمع و جور تر در آرایش است و می تواند ترانزیستورهای بیشتری را در خود جای دهد، بنابراین منطقه تراشه مربوطه بیشتر کاهش خواهد یافت، همراه با کنترل دقیق تر خود را از جریان کانال متقابل، انتظار می رود برای رسیدن به رهبری فن آوری است.
بایقیانچنگ که در سال ۲۰۰۳ تأسیس شده است، با تمرکز بر خدمات ODM، طراحی مشترک با مشتریان، کمک به مشتریان برای انتخاب مدل ها، و تغییر چیدمان، به صادرات تخته های PCBA مشغول است. مزیت اصلی ما این است که ما یک تیم تدارکاتی حرفه ای داریم، و اجزای با کیفیت بالا داریم. کانال تدارکات تراشه می تواند به مشتریان کمک کند تا موادی با قیمت بالا و کیفیت بالا پیدا کنند، هزینه ها را برای مشتریان صرفه جویی کنند و زمان تحویل را کوتاه کنند.
